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【リリース・通信業】NEC、微細銅配線の低抵抗化を実現する新配線材料技術を開発

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【リリース・通信業】平成19年6月4日
日本電気株式会社

微細銅配線の低抵抗化を実現する新配線材料技術を開発

NECはこのたび、最先端LSIデバイスの微細化による細線効果で銅(Cu)配線抵抗が急増するという技術課題を克服するため、その本質的な要因である配線中の界面電子散乱を抑制することでCu配線の低抵抗化を実現する新しい配線材料技術を開発しました。

このたびの開発は、結晶配列を制御したルテニウム(Ru)でCu配線を被覆してCu結晶の高品位化を図ることで、配線内に流れる電子の界面散乱を抑制するものです。特殊な極低温測定(-253℃)により、界面電子散乱の抑制による低抵抗化現象を世界に先駆けて実証しました。

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最先端LSI配線には、微細化による配線間寄生容量の増大と配線抵抗の増大という2つの大きな課題があります。前者の配線間寄生容量の増大に対しては多孔質Low-k絶縁膜を導入することで解決の目処が立っています。一方、後者の配線抵抗の増大に対しては有効な解決策が見出されていませんでした。今回の開発は、細線効果によるCu配線抵抗の増大を本質的に解決するもので、低抵抗化が必要な超高周波信号を取り扱う高帯域無線携帯端末や高速・大容量サーバーなどのユビキタス対応機器の高性能・低電力化を可能とするものです。

このたび開発した新配線材料技術の特長は以下の通りです。
(1)結晶配列を制御しながらRu界面保護膜を成長する高真空スパッタプロセスと、このRu界面保護層上にCu膜を成長する直接電解メッキCu成長プロセスを開発...

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(引用 yahooニュース)


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2007年06月05日 未分類 トラックバック:0 コメント:0












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